這一時期，米國人對於韓國人的援助超過300億美金。
韓國三星，關鍵技術來自米國-鎂光科技，關鍵設備也獲得米國人全力扶持。
1984年鎂光科技向韓國三星轉讓256k dram量產技術，同時米國西翠克斯(citrix)公司向三星轉讓高速處理金屬氧化物mos的設計技術。
韓國現代後為海力士，1984年米國人將16k、64k sram技術轉讓給現代電子。
1985年米國德州儀器向現代轉讓64k dram的生產工藝流程，全麵提高現代的半導體生產工藝技術。
由此，韓國人開始具有了和日本人競爭的資格了，並完成從追趕天朝人到超越天朝人。
1986-1997年，第二次dram世界大戰-日韓半導體戰爭爆發。
麵對日本人的閃電戰，韓國人根本無力抵抗，三星一年虧損高達3億美金。
1986年，英特爾和ibm緊急動員，聯手對三星進行技術和經濟扶植。同時依據《美日半導體協議》對日本人的約束，米國人對韓國人放開米國國內市場，韓國半導體企業迅速在米國國內市場占據30%的dram市場份額。
僅僅一年時間，1987年三星實現扭虧為盈，度過最艱難和危險的時刻。
就這一點，日韓半導體戰爭就已經不再是單純的科技戰爭，已經涵蓋政治、軍事、經濟等國家層麵的大政方針。
就這一點，dram內存已經不僅決定一個國家半導體工業的命運，更決定一個國家能否成為科技大國、強國的命運。
有了米國人的幫助，韓國人獲得了很多東西，技術上獲得16k、64k、256k dram等核心技術，獲得cmos生產製程工藝和流程等。
利用《美日半導體協議》獲得戰略縱深，米國人對韓國人開放當時全球最大的消費市場-米國國內市場。
客觀而言，韓國半導體工業發展曆史中，米國人對韓國人的傾力扶持，這一點幾乎是不可以借鑒和複製的。
但是，在整個日韓半導體戰爭中，韓國人在國家策略、科技紅利投入等方麵，仍有許多值得龐煖們借鑒的地方。
第一，構建韓國人版本的“官產學”三位一體，殖產興業的財閥製度。
1986年，在米國顧問建議下，韓國政府舉國之力，重金研製dram，並將4m dram列為國家項目。
由韓國電子通信研究所(kist)牽頭，聯合三星、lg、現代和韓國六所大學，一起對4m dram進行技術攻關，目標是到1989年，開發並批量投產4m dram，完全消除與日本人的技術差距。
該項目三年中的研發費用高達到1.1億美金，韓國政府承擔其中57%的投資。由此，韓國人版本的“官產學”一體成型。
在全球半導體工業發展曆史中，依托政府、企業、科研院校力量完成重大國家項目的攻關和突破，無論米國、天朝和日本，韓國人是最為極致的，非常類似於日本明治維新時代的“殖產興業”的財閥製度。
客觀而言，在舉國體製進行重大項目攻關上，韓國人的“殖產興業”財閥製度，其效率是大大優於日本人的“官產學”三位一體，恐怕也隻有天朝的新時代天朝特色的能夠相比較。
第二，加大科技紅利之有效研發投入，壓強原則，快速提升壓強係數，對重點項目重點攻關。
從1990年開始韓國三大企業重金投入，建立了完善的趕超日本dram產業的研發體係。三星建立26個研發中心，lg建立18個，現代建立14個。
與之對應的是，研究費用成倍投入。
1980年三星在半導體領域的有效研發投入僅有850萬美金，到1994年已經高達9億美金。
在專利技術方麵，1989年韓國的專利技術應用有708項。
1994年已經上升到3336項。
科技紅利投入，特別是有效研發投入，使得韓國人僅僅用5年時間，就完成對日本人的追趕。
僅僅用3年時間，就完成對日本人的超越。