dram（dynamic random access memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的係統內存。也是在計算機、手機等設備中最常見的基礎芯片。
三星第一塊64k dram投放市場時是1984年，比日本人足足晚了40個月。
第一塊256k dram投放市場時是1986年，比日本人晚了24個月。
第一塊1m dram投放市場時是1986年，比日本人隻晚了12個月。
1989年三星第一塊4m dram與日本人幾乎是同時投放市場的。
1992年，三星開始領先日本，推出全球第一個64m dram產品。
而同時期的日本半導體工業，從1985年開始日本經濟進入泡沫化，全民炒房。
1985年日本人砍掉了40%的設備更新投資和科技紅利投入。
1986-1987年日本人有效研發投入從4780億日元降低到隻有2650億日元，下降幅度達80%，這就給韓國人反超的機會。
這就是大家所熟悉的，韓國人在半導體領域的所謂的第一次“反周期投資”。
從1992-1999年，韓國人通過持續科技紅利之有效研發投入進一步夯實64m dram勝利果實的基礎上，通過壓強原則，擴大對日本人的競爭優勢，完成了從追趕到超越的大逆襲過程。
1990年，16m dram，韓國人推出的時間滯後於日本人3個月。
1992年，64m dram，韓國人略微領先於日本人。
到1998年，韓國人全球第一個開發256m dram、128m sdram、128m flash。
到1999年，韓國人全球第一個開發1g dram。
在著名的《科技紅利大時代》一書中，首次提出科技紅利、有效研發投入和壓強係數等科技紅利的研究思想。
從科技紅利思想的角度，龐煖們看看韓國人又是如何通過提高壓強係數，實現對日本人的逆襲。
1992年韓國人64m dram略微領先於日本人和米國人成功研製後，韓國人並沒有停下科技紅利之有效研發投入。
1993年反而通過壓強原則，重點攻擊，科技紅利之有效研發投入同比增長70.19%，鞏固對日本人的領先優勢。
1995年韓國人再次快速提升壓強係數，科技紅利之有效研發投入再次大幅度提升，同比增速高達96.82%。
1996-1997年連續兩年保持高位壓強係數狀態。
這才有了1998年128m sdram、128m flash、256m dram、1g dram的全球第一個推出市場，從而完美的實現大逆襲。
第三，產業鏈垂直一體化，加強上遊設備和電子化學品原材料的國產化。
上世紀90年代，韓國政府主導推出總預算2000億韓元(2.5億美元)的半導體設備國產化項目，鼓勵韓國企業投資設備和電子化學品原料供應鏈。
韓國工貿部在漢城南部80公裏的鬆炭和天安，設立兩個工業園區，專門供給半導體設備廠商設廠。
為了獲取先進技術，韓國人以優厚條件招攬米國化工巨頭杜邦、矽片原料巨頭memc、日本dns(大日屏)等廠商，在韓國設立合資公司。
由此，韓國人半導體產業鏈上遊關鍵設備和電子化學品原材料初具規模。
第四，產業鏈橫向擴張，從存儲器芯片到cpu芯片、dsp芯片等。
以三星為例，通過與米國、歐洲企業建立聯盟合作關係，三星在dram之外，獲得了大量芯片產業資源。
從米國sun公司引進java處理器技術。
從法國stm(意法半導體)引進dsp芯片技術。
從英國arm引進音視頻處理芯片技術。
與日本東芝、nec、衝電氣(oki)展開新型閃存flash方麵的技術合作等。
客觀而言，產業鏈橫向擴張對於天朝是很難複製的，因為西方列強根本不會對天朝輸出半導體集成電路芯片的核心技術。
即使天朝諸多企業溢價用巨額資金購買也是諸多困難。
但堅持產業鏈的橫向擴張，這是成為半導體強國的必經之路。
1992年三星全球第一個成功研製64m dram。64m dram，矽片直徑為200-250mm，芯片麵積為135mm2，集成度為140000000。
采用的主要技術為超淨技術和3.3v低電壓化技術。
在集成度方麵，韓國人是日本人的360%。