依靠64m dram，三星超越日本nec，首次成為全球第一大dram內存製造商。
此後，韓國開始製霸之路，連續25年蟬聯世界第一。
韓國成為全球半導體內存市場第四個霸主。
1996年，韓國三星的dram芯片出口額達到62億美金，居世界第一。
日本nec居第二。
韓國現代以21.26億美金居第三位。
韓國lg以15.4億美金居第九位。
不到十年時間，韓國人一舉打垮日本人，牢牢占據了全球半導體內存市場。
至此，韓國人全麵崛起於日韓半導體戰爭，成為全球半導體工業大國。
再次回顧韓國人崛起的曆史過程。
1968-1980年，在米國人幫助下，韓國人完成追趕，初步建立了半導體工業體係。
半導體工業產值從不足2000萬美元，增加到15億美金以上。
半導體出口產值從300萬美金，增加到11億美金以上。
1980-1985年，韓國人在米國人扶持下，僅僅用5年時間快速完成並掌握16k、64k 、256k dram的關鍵技術的研製，一舉超越日本人過去三十年的所有努力。
5年時間，韓國半導體工業產值達41.87億美金，期間增長176%。
韓國半導體出口產值達25.33億美金，期間增長113%。
1986-1997年，第二次dram世界大戰-日韓半導體戰爭爆發。
米國人“扶韓抗日”，在米國人全力扶持下，特別是1985、1991年《美日半導體協議》的簽署，到1994年韓國人在64m、256m dram完成對日本人的從追趕到領先。
這一時期，韓國半導體工業產值超過225億美金，期間增長437%。
韓國半導體出口產值131億美金，期間增長418%。
韓國人完成從半導體發展天朝家到全球半導體大國的轉變。
1998-2010年的第三次dram世界大戰-韓台半導體戰爭，韓國人完成了自身dram核心技術的“米國基因”轉型為“獨立自主基因”，最終實現了從半導體大國蛻變為半導體強國。
在這一時期，韓國人主要的成功經驗有：
第一，挺進天朝大陸市場，構築廣闊的戰略縱深。
如同日韓半導體戰爭中，米國人放開米國國內市場給韓國人一般。挺進天朝大陸市場，韓國人具有了廣闊的戰略縱深。
龐煖們以海力士為例：
陷入1997年東南亞金融危機的韓國海力士(hynix)，以3.8億美金的價格，將tft-lcd部門整體售給京東方，海力士就此專注於dram領域，並獲得寶貴的資金和天朝市場。
2004年，海力士和意法半導體在無錫設立12寸晶圓廠，項目總投資20億美金。
其中，海力士和意法半導體出資10億美金，主要是2億美金的二手設備折價、5.5億美金現金和2.5億美金股東貸款。另外10億美金由無錫市政府承擔。
另外，在20億美金總投資之外，無錫市政府還承擔廠房建設，無錫市政府一共出資3億美元建設兩座占地54萬平方米，麵積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體使用。
2006年海力士90納米技術生產的8英寸晶圓順利下線，合格率超過95%。
工商銀行江蘇分行牽頭，11家中資銀行、9家外資銀行組成貸款團對無錫海力士項目放貸5年期的7.5億美金貸款。
海力士拿著韓國利川工廠淘汰的8英寸晶圓設備，依靠天朝資金、土地、工人和天朝市場，用區區3億美金撬動了一項20億美金的投資。
麵對東南亞危機，依托天朝市場戰略縱深，韓國人僅用2年時間就恢複了元氣。
特別是海力士，2000年，dram整體月產量由第三季度的6500萬顆，第四季度就快速擴增到8000萬顆，增長了23.07%。
同時128m以上產品的生產比重由20%提高到36%。
128m dram：3個月內，月產量由650萬顆提高到1400萬顆，增長了115%。
256m dram：4個月內，月產量由40萬顆提高到140萬顆，增長了250%，生產比重由2.4%提高到6%。
2008年全球金融危機爆發後，一年時間內，全球dram產業累計虧損超過125億美金，苔彎省dram產業更是全線崩盤。
南亞科，從2007年起連續虧損六年，累計虧損1608.6億元新台幣(49億美金)。